光刻掩模版，別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形，實現對光線的遮擋或透過功能，是微電子光刻工藝中的一個工具或者板材。我們利用光罩可以實現微電子工藝中的圖形傳遞。光刻掩模版的加工技術主要有兩種：其一為激光直寫技術；其二為電子束直寫部分，兩種技術區別在于光源不同，實現的精度有所區別。

掩模版種類及其應用范圍普通版 ：一般使用蘇打玻璃或者石英，常見2寸到10寸，線寬一般在1um以上，主要用戶接觸式曝光機，轉移圖形與版圖尺寸為1:1，實現同比例的圖形轉移。

Stepper版：一般使用石英版，常見為5寸和6寸版，線寬一般在1um以上，主要用于Stepper曝光機臺，轉移圖形與版圖尺寸實際比例一般是4:1或者5:1，實現將版圖圖形縮小4~5倍之后投射于目的片上。

納米壓印版：一般用石英版，刻蝕其表面的金屬形成溝槽和透光不透光的組合，尺寸一般需要5寸及以上，采用電子束直寫的技術實現表面nm圖形的轉移，一般線寬在200~800nm左右，借助掩模版對光刻膠的壓力、同時輔助紫外曝光，最終實現納米級圖形的轉移。

金屬掩模版：一把采用不銹鋼，在不銹鋼表面通過激光加工或者腐蝕的方式，實現表面鏤空的圖形設計，最小線寬一般要50um，能夠用于電子束蒸發中，用于電極圖形的轉移。

文章最后附有推介版圖尺寸類型對應能做到的精度及線寬，為大家提供參考。

光刻掩模版加工工藝介紹及相關設備

電子束直寫 Vector Scan（萊卡）

技術參數與能力：

工作電壓：50kV

電流密度：10 A/cm2

掃描區域：150 mm*150mm

套刻精度：12 nm(3?)

條寬均勻：13 nm(3?)

版圖尺寸：只可以制作6025的石英版掩模

最小條寬：90 nm+-12 nm

激光束直寫（美國） Raster Scan

技術參數與能力：

 掃描區域：150 mm*150mm

 套刻精度：12 nm(3?)

 條寬均勻：15 nm(3?)

 版圖尺寸：6025、6012、5009的石英版掩模版

 最小條寬：0.8 um+-50nm

無掩膜激光直寫光刻機

技術參數與能力：

最小條寬：0.8 um+-50nm

工作波長：405 nm

分辨率：0.8 um

條寬均勻度：150 nm(3?)

套刻精度：150 nm

版圖尺寸：4~9寸石英、蘇打玻璃掩模版、3~8寸硅片

多腔室電感耦合等離子體刻蝕機ICP

技術參數與能力：

刻蝕：Cl基刻蝕腔：刻蝕Cr （已開發）

F基刻蝕腔： 刻蝕MoSiX （已開發）

樣品尺寸：5寸、6寸

刻蝕SiO2、SiNx、Cr等金屬的刻蝕

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